単結晶AIN Wafer (窒化アルミニウムウエハー)
標準スペックGrowth MethodVGFOrientation(100)
化合物半導体材料
標準スペックGrowth MethodVGFOrientation(100)
標準スペックGrowth MethodVGFOrientation(100)±0.5° (311)A
標準スペックサイズ:14㎜×14㎜×1.3㎜、10㎜×10㎜×1㎜材料構成 Cd(1-x)Zn(x)Te
当社は中国のメーカーが製造した高品質で安価な単結晶SiCウエハー及びインゴットを販売しております。これまではシリコン(Si)製のパワ
Free-standing GaN Substrates(4")Size (mm)φ100.0±1.0T
標準スぺックGrowth MethodVGFOrientation(100)±0.5