Use for preparation material of the selenium drum, photoelectric material,electrostatic photograph and materials of optical instrument.仕様
SEMICONDUCTOR
半導体製品の卸販売
Use for preparation material of the selenium drum, photoelectric material,electrostatic photograph and materials of optical instrument.仕様
用途：Use for preparation chemical compound semiconductor, thermoelectricity transfer cell,high purity metal仕様 Grade
用途（Application）：Use for preparation II-VI elements chemical compound semiconductor thermoelectricity transfer cell ,refrigerating cell ,piezoelectric
標準スペックサイズ：14㎜×14㎜×1.3㎜、10㎜×10㎜×1㎜材料構成 Cd(1-x)Zn(x)Te, x=0.04Conduction TypeP-TypeCrystal Orientation<111> <
当社は中国のメーカーが製造した高品質で安価な単結晶SiCウエハー及びインゴットを販売しております。これまではシリコン（Si）製のパワー半導体を使ったものが主流でしたが、今後の低炭素社会実現のためにはよりエネルギー損失の少ないSiC製のパワー半導体素子が期待されており、新幹線や電気自動車や5G
Free-standing GaN Substrates（4"）Size (mm)φ100.0±1.0Thickness (μm)420±50TTV (μm)≤30BOW (μm)≤50RMS (nm)Ga fa
当社は中国のメーカーがVGF法で単結晶したGeウエハー及びインゴットを販売しております。標準スペックGrowth MetgodVGFDopantn-type:As ; p-type :Gawafer ShapeRound(DIA: 2”
標準スぺックGrowth MethodVGFOrientation（100）±0.5° （311）A,B±0.5° (111）A,B±0.5°Size (mm)50.8~150Thickness (μm)350±