当社は中国のメーカーが製造した高品質で安価な単結晶SiCウエハー及びインゴットを販売しております。
これまではシリコン（Si）製のパワー半導体を使ったものが主流でしたが、今後の低炭素社会実現のためにはよりエネルギー損失の少ないSiC製のパワー半導体素子が期待されており、新幹線や電気自動車や5Gなどへの応用も始まっています。
SiCウエハーについても、OFF角度指定、厚み指定、表面状態等の加工も承ります。必要な際は是非ご相談下さい。
基本内容
直径：Φ2インチ～Φ8インチ
厚さ：350µm、500µm 特別指定可能
結晶方法：昇華法（PVT）
MPD：≤1／cm²
導電性：N-Type、Semi-insulating（半絶縁型）
抵抗率：N-Type（0.015-0.028Ω・cm）、Semi-insulating（>1×106Ω・cm）
面方位：<0001>0 ° ／4 ° 0ff ± 0.5 ° OFF角度も指定可能
受注数量：1枚～
※生産能力：1000枚以上／月
納期：3週間～、在庫品は即納可能
SiCウエハースペック書
| サイズ： | Φ2”~8” | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ポリタイプ | 4H | |||||||
| 導電タイプ | N-Type、Semi-insulating(半絶縁) | |||||||
| 直径（mm） | 50.8±0.3～200±0.3 | |||||||
| 厚さ | 350± 25 µ m, 500± 25 µ m | |||||||
| MPDグレード | ≤ 0.5／cm2、≤ 5／cm2、 ≤ 10／cm2、 ≤ 30／cm2 | |||||||
| 面方位 | ＜0001＞0 °off±0.5°、＜0001＞4 ° off ± 0.5 ° | |||||||
| 面状態 | Si面：CMP仕上げ：Ra ＜0.5 nm C面：光学鏡面仕上げ：Ra ＜1 nm | |||||||
| 抵抗率（Ω・cm） | 0.015~0.025(N-Type)、 >1×106（SI‐Type） | |||||||
| TTV(μm) | <10 | |||||||
| BOW（μm） | <20 | |||||||
| WARP（μm） | <±30 | |||||||
| 包装 | Epi-ready with vacuum packaging | |||||||
＊アズカットウエハーやラップウエハー及びインゴットも対応可能です。
用途
基板用：LED基板、パワーデバイス基板、5G基板、他
機械装置及び加工技術開発用：研削・研磨装置、レーザー加工装置、等
